株式会社イオンテクノセンター(法人番号 8120001153298)

株式会社イオンテクノセンターは大阪府枚方市に所在する株式会社です(法人番号 8120001153298)。業種は学術研究、専門・技術サービス業。厚生年金の適用事業所は1か所、被保険者数は合計50人です。適格請求書発行事業者として登録されています(登録番号 T8120001153298、2023-10-01登録)。このページでは知財8件を出典つきで収録しています。

商号
株式会社イオンテクノセンター
フリガナ
イオンテクノセンター
法人番号
8120001153298
法人種別
株式会社
所在地
〒573-0128 大阪府 枚方市 津田山手2丁目8番1号
業種
学術研究、専門・技術サービス業
従業員数
45人
厚生年金被保険者数
50人
インボイス登録番号
T8120001153298(2023-10-01 登録)
法人番号指定日
2015-10-05
最終更新
2018-08-10

事業概要

半導体プロセス 研究開発 BPOサービス RPOサービス スペシャリストサービス(人材派遣) ヒューマンリソースソリューション(人材紹介) 分析・評価・試験サービス イオン注入サービス

収録データ

知財8件

事業所・拠点

事業所所在地厚生年金被保険者数状態
株式会社 イオンテクノセンター大阪府 枚方市 津田山手 2-8-150人適用中

出典: gBizINFO 事業所情報。被保険者数は厚生年金の適用対象者数で、従業員数とは一致しません。

知的財産

区分登録番号出願日名称
特許68735162020-06-05パワー半導体素子及びその製造方法
特許68735162020-06-05パワー半導体素子及びその製造方法
特許68735162020-06-05パワー半導体素子及びその製造方法
特許68735162020-06-05パワー半導体素子及びその製造方法
特許68735162020-06-05パワー半導体素子及びその製造方法
特許68735162020-06-05パワー半導体素子及びその製造方法
特許68735162020-06-05パワー半導体素子及びその製造方法
特許68735162020-06-05パワー半導体素子及びその製造方法

出典: gBizINFO(特許庁 由来)

出典

国税庁 法人番号公表サイトgBizINFO国税庁 適格請求書発行事業者公表サイト法人公式サイト

掲載内容は各出典の公表データをもとにしています。最新かつ正式な内容は出典元で確認してください。