基本プロフィール
- 商号
- 所在地
- 代表者
- 業種
- 資本金
- 設立
- 厚生年金被保険者数
- インボイス登録番号
- 事業概要
決算・財務
EDINETで確認 →| 会計期間 | 売上高 | 営業利益 | 純利益 |
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信越半導体株式会社（法人番号 8010001018611）
信越半導体株式会社は東京都千代田区に所在する株式会社です（法人番号 8010001018611）。業種は製造業。厚生年金の適用事業所は1か所、被保険者数は合計1,979人です。適格請求書発行事業者として登録されています（登録番号 T8010001018611、2023-10-01登録）。このページでは知財8件を出典つきで収録しています。
- 商号
- 信越半導体株式会社
- フリガナ
- シンエツハンドウタイ
- 法人番号
- 8010001018611
- 法人種別
- 株式会社
- 所在地
- 〒100-0004 東京都 千代田区 大手町２丁目２番１号
- 業種
- 製造業
- 従業員数
- 1,710人
- 厚生年金被保険者数
- 1,979人
- インボイス登録番号
- T8010001018611（2023-10-01 登録）
- 法人番号指定日
- 2015-10-05
- 最終更新
- 2018-07-03
事業概要
半導体シリコンの製造
収録データ
知財8件
事業所・拠点
| 事業所 | 所在地 | 厚生年金被保険者数 | 状態 |
|---|---|---|---|
| 信越半導体 株式会社 | 東京都 千代田区 大手町 ２－２－１ | 1,979人 | 適用中 |
出典: gBizINFO 事業所情報。被保険者数は厚生年金の適用対象者数で、従業員数とは一致しません。
知的財産
| 区分 | 登録番号 | 出願日 | 名称 |
|---|---|---|---|
| 特許 | 7460010 | 2023-06-28 | シリコン単結晶製造装置 |
| 特許 | 7460010 | 2023-06-28 | シリコン単結晶製造装置 |
| 特許 | 7384264 | 2022-11-10 | エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ |
| 特許 | 7384264 | 2022-11-10 | エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ |
| 特許 | 7416171 | 2022-10-24 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| 特許 | 7416171 | 2022-10-24 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| 特許 | 7416171 | 2022-10-24 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| 特許 | 7416171 | 2022-10-24 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
出典: gBizINFO（特許庁 由来）
出典
国税庁 法人番号公表サイト ／ gBizINFO ／ 国税庁 適格請求書発行事業者公表サイト
掲載内容は各出典の公表データをもとにしています。最新かつ正式な内容は出典元で確認してください。
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